功率循環(huán)測(cè)試強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)內(nèi)容

廣電計(jì)量功率循環(huán)測(cè)試通過(guò)負(fù)載電流加熱和開(kāi)關(guān)斷動(dòng)作，來(lái)模擬器件工作中的結(jié)溫波動(dòng)，通過(guò)一定程度的加速老化，以提前暴露器件封裝的薄弱點(diǎn)，評(píng)估封裝材料的熱膨脹系數(shù)差異對(duì)器件壽命的影響，是考核功率器件封裝可靠性最重要的可靠性測(cè)試，也是進(jìn)行器件壽命模型建立和壽命評(píng)估的根本。

功率循環(huán)測(cè)試強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)范圍

車(chē)規(guī)級(jí)功率器件模塊及基于分立器件的等效特殊設(shè)計(jì)產(chǎn)品。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

● DINENISO/IEC17025：General Requirements for the Competenceof Testing and Calibration Laboratories

● IEC 60747系列：Semiconductor Devices, Discrete Devices

● IEC 60749系列：Semiconductor Devices ? Mechanical and Climatic  Test Methods

● DIN EN 60664系列：Insulation Coordination for Equipment Within Low-Voltage Systems

● DIN EN 60069系列：Environmental testing

● JESD22-A119:2009：Low Temperature Storage Life

檢測(cè)項(xiàng)目

根據(jù)負(fù)載電流加熱的時(shí)長(zhǎng)不同，功率循環(huán)測(cè)試分為秒級(jí)功率循環(huán)（PCsec）， 分鐘級(jí)功率循環(huán)（PCmin），如電力電子模塊AQG324測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，不同的負(fù)載電流加熱時(shí)長(zhǎng)，考察的封裝體對(duì)象也不同。如下表：

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

測(cè)試周期

常規(guī)5-7個(gè)工作日

服務(wù)背景

功率循環(huán)測(cè)試被稱(chēng)為考核功率器件封裝可靠性最重要的實(shí)驗(yàn)，尤其是 SiC MOSFET 功率器件的快速發(fā)展，是近幾年的研究熱點(diǎn)。與其他可靠性測(cè)試不同的是，功率循環(huán)測(cè)試原理雖然簡(jiǎn)單，但測(cè)試技術(shù)、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)處理卻涉及到半導(dǎo)體物理、電磁學(xué)、傳熱學(xué)、結(jié)構(gòu)力學(xué)和信號(hào)分析等多學(xué)科交叉，處理不當(dāng)將得到錯(cuò)誤的結(jié)論。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量在Si基功率半導(dǎo)體模塊、SiC模塊等相關(guān)測(cè)試有著豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，是SiC領(lǐng)域國(guó)內(nèi)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)之一，為眾多半導(dǎo)體廠家提供模塊的規(guī)格書(shū)參數(shù)測(cè)試、競(jìng)品分析、環(huán)境可靠性、壽命耐久和失效分析等一站式測(cè)試服務(wù)。

在功率循環(huán)測(cè)試方向，廣電計(jì)量引進(jìn)多臺(tái)西門(mén)子功率循環(huán)測(cè)試機(jī)臺(tái)Power Tester1800A/1500A，同時(shí)還有部分國(guó)產(chǎn)高可靠性功率循環(huán)測(cè)試機(jī)臺(tái)，能提供水冷/水乙二醇混合冷卻/油冷等冷卻方式，并且滿足20℃~125℃的底溫要求，產(chǎn)能充足。

手法，可以協(xié)助廠家進(jìn)行AQG324的認(rèn)證檢測(cè)；擁有經(jīng)驗(yàn)豐富的材料及電性能可靠性專(zhuān)家，可以針對(duì)功率半導(dǎo)體進(jìn)行失效分析及可靠性驗(yàn)證方案的設(shè)計(jì)與執(zhí)行。