離子研磨（CP）測(cè)試強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)內(nèi)容

離子研磨（CP）測(cè)試是在真空條件下，離子槍中低壓惰性氣體（氬）離子化，出射的陽(yáng)離子又經(jīng)加速，獲得具有一定速度的離子束投射到樣品表面，由于離子帶正電荷，其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬(wàn)倍，所以離子束比電子束具有更大的撞擊動(dòng)能，靠微觀(guān)的機(jī)械撞擊能量加工樣品。廣電計(jì)量擁有檢測(cè)設(shè)備，提供一站式離子研磨（CP）測(cè)試服務(wù)。

服務(wù)范圍

主要用于半導(dǎo)體材料、電池電極材料、光伏材料、不同硬度合金、巖石礦物質(zhì)、高分子聚合物、軟硬復(fù)合材料、多元素組成材料等的截面制樣、界面表征。

檢測(cè)項(xiàng)目

離子研磨能實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力的橫截面和幾乎所有材料刨面，揭示了樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)同時(shí)限度地減少變形或損壞，即的截面制樣、界面表征。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

測(cè)試周期

常規(guī)5-7個(gè)工作日，可加急

離子研磨（CP）測(cè)試強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)背景

離子研磨通過(guò)氬離子束物理轟擊樣品，達(dá)到切割或表面拋光的作用。為什么要進(jìn)行表面拋光？那是因?yàn)樵趯?duì)精細(xì)電子元器件切片的時(shí)候，往往會(huì)因?yàn)榍衅斐闪私饘傺诱?、顆粒物填充等情況，對(duì)后續(xù)的檢查帶來(lái)不利影響。而這些就是前文提到的人為損害。因此，我們對(duì)樣片進(jìn)行表面拋光，可以在減免人為損傷的前提下，展現(xiàn)內(nèi)部缺陷形貌。

我們的優(yōu)勢(shì)

1、配合牽頭“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目"“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺(tái)"等多個(gè)項(xiàng)目。

2、在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力全面的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個(gè)型號(hào)的芯片驗(yàn)證。

3、在車(chē)規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324服務(wù)能力，獲得了近50家車(chē)廠(chǎng)的認(rèn)可，出具近300份AEC-Q及AQG324報(bào)告，助力100多款車(chē)規(guī)元器件量產(chǎn)。